HSE P300 深硅刻蚀机
HSE P300 Deep Silicon Etcher
- 设备特点
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- 使用立体高密度等离子源，大幅提升刻蚀速率
- 双等离子源和双区进气，确保较高的均匀性
- 全自动化软件控制，高产能
- 低拥有成本和运营成本
- 产品应用
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- 晶圆尺寸8/12英寸兼容
- 适用材料硅、氧化硅、氮化硅
- 适用工艺深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、露铜刻蚀等
- 适用领域先进封装
